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沈陽儀表科研院項目通過了科技成果鑒定
2011-5-14 10:11:07

          近日由沈陽市科技局成果處主持,在沈陽儀表科學院召開了三項科研項目的科技成果鑒定會議。對科技部十一五支撐計劃項目“傳感器測試關鍵共性技術研究”、科技部科研院所技術開發研究專項資金項目“光密度連續變化濾光器件”、“SOI壓力傳感器製造工藝研究”進行了科技成果鑒定。專家組認真審閱了資料,聽取了項目組的詳細匯報,考察了研製現場及實物,經過質詢和評議一致認為:
  
   “傳感器測試關鍵共性技術研究”項目突破了高性能傳感器“試驗裝置高效高壓多波形控製”、“批量檢測係統弱信號檢測”、“可靠性強化試驗”等關鍵技術,在矽電容傳感器批量測試係統的“夾具設計”和“補償方法”、傳感器高效高壓試驗裝置的“複合波形控製”等方麵具有創新性。成果主要性能指標和關鍵技術達到國際先進水平,對推動行業技術進步,增強AG亚游官网产品市場競爭力,具有重要的支撐作用。
  
   “光密度連續變化濾光器件”項目開展了中性漸變薄膜的設計與製造工藝研究,研製出線性度和中性度良好的光密度連續變化濾光器件,線性度、中性度均達到±5%。解決了光密度線性漸變薄膜設計、中性薄膜鍍製、掩膜機構設計及掩膜機構運動控製等關鍵技術難題,在線性迭代擬合調速和分段調速等方麵具有創新性。研製開發的濾光器件,填補了國內空白,並已實現批量生產,主要性能指標達到國際先進水平。
  
   “SOI壓力傳感器製造工藝研究”項目開展了SOI壓力傳感器製造工藝的研究,建起具有自主技術和知識產權支撐的高溫SOI壓力傳感器製造技術平台,實現耐高溫SOI壓力傳感器批產工藝的穩定性。采用表麵摻雜濃度控製方法解決了低漂移技術難題,使敏感器件的穩定性達到0.005%F.S./8h;采用多層薄膜低應力匹配技術,實現敏感芯片重複穩定生產;采用Cr–Ni–Au複合耐高溫電極製備技術,實現了敏感芯片在300℃下穩定工作。項目成果填補了國內空白,主要性能指標達到國際先進水平。鑒定委員會一致同意三個項目通過成果鑒定。
  
       專家組對沈陽儀表科學研究院項目組織實施管理給予了較高評價,對項目完成的質量給予了充分地肯定,並建議在現有基礎上不斷地發揮自身優勢,進一步推廣應用並擴展應用領域。

 

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